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VBMB185R10 产品详细

产品简介:

该型号产品简介:

VBMB185R10 是 VBsemi 公司生产的单路 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术,封装为 TO220F。该产品具有以下主要特点:
- 额定漏极-源极电压(VDS)为 850V,能够承受较高的电压。
- 标准门源电压(VGS)为 ±30V,门阈电压(Vth)为 3.3V,可适用于多种驱动电路。
- 在 VGS=10V 时,导通电阻为 1150mΩ,具有较低的导通电阻,有利于降低功耗和提高效率。
- 最大漏极电流(ID)为 10A,适用于中等功率的应用场合。

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产品参数:

该型号产品详细参数说明:

1. 产品型号:VBMB185R10
2. 品牌:VBsemi
3. 参数:
- 类型:单路 N 型 MOSFET
- 技术:Plannar
- 封装:TO220F
- 额定漏极-源极电压(VDS):850V
- 标准门源电压(VGS):±30V
- 门阈电压(Vth):3.3V
- VGS=10V 时导通电阻:1150mΩ
- 最大漏极电流(ID):10A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 工业电源模块:VBMB185R10 适用于设计工业电源模块,如开关电源、逆变器和稳压器等,可实现高效率、稳定的工业电源输出。
2. 高压开关电源:由于 VBMB185R10 具有较高的额定电压和适中的导通电阻,可用作高压开关电源的功率开关元件,适用于工业设备和通信基站等领域。
3. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,VBMB185R10 可作为开关管,用于控制充电桩的输出电压和电流,实现电动汽车的快速、高效充电。
4. 太阳能逆变器:该型号的 MOSFET 适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,用于将太阳能板产生的直流电转换为交流电,并接入电网。
5. 工业自动化设备:VBMB185R10 可用于工业自动化设备中的电源开关和驱动电路,如电机控制、机器人系统和自动化生产线等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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