MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBMB185R07 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBMB185R07是VBsemi品牌的单N沟道MOSFET,采用了Plannar技术,封装为TO220F。该产品具有850V的漏极-源极电压(VDS),能够承受±30V的栅极-源极电压(VGS),并具有3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,具有1700mΩ的导通电阻。额定漏极电流(ID)为7A,适用于各种工业和电子应用领域。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB185R07
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- VDS(漏极-源极电压):850V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:1700mΩ
- 额定漏极电流(ID):7A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源模块:VBMB185R07具有较高的漏极电压和额定漏极电流,适用于工业电源模块中的开关电源、逆变器和变换器等部分,可用于工业控制和自动化领域。
2. LED照明控制:在LED照明系统中,需要承受高压的功率开关器件,VBMB185R07可用于LED驱动电路中的开关控制,帮助实现LED灯的亮度调节和节能控制。
3. 太阳能光伏逆变器:VBMB185R07可用作太阳能光伏逆变器的关键部件,帮助实现太阳能能源的高效转换和接入电网。
4. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,需要承受高电压和电流的功率开关器件,VBMB185R07可用于电动汽车充电桩的开关控制和电源管理,实现电动汽车的快速充电和安全供电。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询