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VBMB185R06 产品详细

产品简介:

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VBMB185R06是VBsemi生产的单N沟道MOSFET,具有850V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)。采用Plannar技术,封装为TO220F。该产品具有适中的漏极电流和低导通电阻,适用于多种应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:

- VDS(漏极-源极电压):850V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1700mΩ
- 最大漏极电流(ID):6A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 汽车电子:适用于汽车电子中的电动驱动系统、发动机控制和电池管理系统等模块。
2. 家用电器:可用于家用电器中的电源管理模块,如电视、冰箱和洗衣机等。
3. 工业控制:在工业控制领域中,该产品可用于PLC(可编程逻辑控制器)、变频器和工业自动化设备的电源开关。
4. LED照明:适用于LED照明驱动电路中的功率开关和调光控制,以提供高效的照明解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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