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VBMB185R02 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBMB185R02是一款单N沟道功率MOSFET,采用Plannar技术,封装为TO220F。该产品具有高压耐受能力和适中的导通电阻,适用于多种功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB185R02
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):850V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时,漏极-源极电阻(mΩ):6500
- 最大漏极电流(ID):2A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 低功率电源模块:VBMB185R02适用于低功率电源模块,如手机充电器、家用小型电器等,提供稳定的电力输出。
2. LED驱动器:在LED照明领域,该器件可用于LED驱动器中的功率开关模块,实现LED灯的亮度调节和颜色控制。
3. 小型电动车控制器:用于小型电动车的控制器模块,如电动自行车、滑板车等,实现电动车的加速和制动控制。
4. 工业自动化传感器模块:在工业自动化领域,该器件可用于传感器模块中的电力控制和信号处理,提高工业生产的自动化程度。
5. 电子消费品模块:在各种电子消费品中,如电视机、音响等,VBMB185R02可用于功率放大器模块和电源模块,提供可靠的电力支持。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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