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VBMB17R18S 产品详细

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产品简介：

产品简介：
VBsemi的VBMB17R18S是一款单N沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造。其主要特点包括最大漏极-源极电压(VDS)为700V，最大门源电压(VGS)为±30V，阈值电压(Vth)为3.5V，在VGS=10V时的导通电阻为260mΩ，最大漏极电流(ID)为18A。封装形式为TO220F。

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产品参数：

详细参数说明：
- VDS(V): 700V
- VGS(±V): ±30V
- Vth(V): 3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ): 260mΩ
- ID (A): 18A
- Technology: SJ_Multi-EPI
- 封装: TO220F

领域和模块应用：

应用领域和模块示例：
- 高频开关电源：适用于高频开关电源中的功率开关模块，如服务器电源和电信设备的电源模块。
- 太阳能逆变器：作为太阳能逆变器中的关键开关元件，实现太阳能电池板到电网的高效能转换。
- 电动汽车控制器：用于电动汽车控制器中的功率开关，提供高功率和高效率的电动驱动能力。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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