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VBMB17R15S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi 的 VBMB17R15S 是一款 Single N 型 MOSFET,具有以下特点:
- 品牌:VBsemi
- 封装:TO220F
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 最大漏极-源极电压(VDS):700V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在 VGS=10V 时的导通电阻:340 mΩ
- 最大漏极电流(ID):15A

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBMB17R15S
- 产品类型:Single N 型 MOSFET
- 品牌:VBsemi
- 封装类型:TO220F
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 最大漏极-源极电压(VDS):700V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在 VGS=10V 时的导通电阻:340 mΩ
- 最大漏极电流(ID):15A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源逆变器:VBMB17R15S 具有较高的漏极电压和电流能力,适用于电源逆变器中的高压开关模块,用于变换直流电源为交流电源。
2. 电动汽车控制器:在电动汽车控制器中,需要高功率和高效率的开关器件来控制电动机,VBMB17R15S 可以用作电动汽车控制器中的功率开关元件。
3. 频率变换器:由于 VBMB17R15S 具有低导通电阻和高频率响应能力,适用于频率变换器中的功率开关模块,用于控制电源频率以实现不同的功率输出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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