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VBMB17R11SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB17R11SE是一款单N型场效应晶体管(FET),采用SJ_Deep-Trench技术,适用于高压和高电流应用。该产品具有优异的性能和可靠性,适用于各种功率电子系统和模块。

详细参数说明:
- 工作电压(VDS):700伏特
- 栅极-源极电压(VGS):±30伏特
- 阈值电压(Vth):3.5伏特
- 在栅极-源极电压为10伏特时,导通电阻(mΩ):330
- 最大电流额定值(ID):11安培
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO220F

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产品参数:

参数:Single N
VDS(V): 700
VGS(±V): ±30
Vth(V): 3.5
VGS=10V(mΩ):330
ID (A):11
Technology:SJ_Deep-Trench
封装:TO220F

领域和模块应用:

应用举例:
1. **电力输配系统**:用于电力输配系统中的开关电源和逆变器,确保高压和高电流条件下的稳定性和效率。
2. **工业自动化**:应用于工业机器人、数控设备和自动化生产线中的电机控制和功率转换,提高生产效率和精确性。
3. **可再生能源**:适用于太阳能和风能发电系统中的功率电子控制器和逆变器,实现可再生能源的高效利用。
4. **电动车辆**:用于电动汽车的动力电子系统中,例如电机控制器和电池管理系统,提供高效的功率转换和稳定的驱动。
5. **消费电子**:在消费电子产品中,如电源适配器和充电器,提供高效、稳定的电源输出。

这些示例说明了VBMB17R11SE模块在多个领域的广泛应用,突显了其在高压、高电流条件下的优异性能和适用性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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