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VBMB17R11S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi 的 VBMB17R11S 是一款 Single N 型 MOSFET,具有以下特点:
- 品牌:VBsemi
- 封装:TO220F
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 最大漏极-源极电压(VDS):700V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在 VGS=10V 时的导通电阻:450 mΩ
- 最大漏极电流(ID):11A

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBMB17R11S
- 产品类型:Single N 型 MOSFET
- 品牌:VBsemi
- 封装类型:TO220F
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 最大漏极-源极电压(VDS):700V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在 VGS=10V 时的导通电阻:450 mΩ
- 最大漏极电流(ID):11A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电动汽车控制器:由于 VBMB17R11S 具有较高的漏极电压和电流能力,适用于电动汽车控制器中的功率开关模块,如电动车辆的电机控制器。
2. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,需要高压和低导通电阻的开关器件来实现太阳能电能转换,VBMB17R11S 的参数使其成为一种适用于这种应用的选择。
3. 工业电源模块:VBMB17R11S 的高性能特点使其适用于工业电源模块,用于提供稳定可靠的电源输出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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