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VBMB17R10S 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBMB17R10S 是一款单N沟道场效应晶体管,具有高达700V的漏极-源极电压(VDS)和10A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有优异的性能和稳定性。封装为TO220F,适用于各种应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBMB17R10S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):390
- 漏极电流(ID):10A
- 工艺技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电动车充电器:由于其高漏极电压和漏极电流,适用于电动汽车充电器中的开关电源和逆变器模块,以实现高效率和快速充电。
2. 工业电源模块:可用于工业控制系统中的电源管理和电机驱动模块,提高系统的可靠性和效率。
3. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的开关模块,转换太阳能电池板的直流输出为交流电。
4. LED照明模块:适用于LED照明驱动器和开关电源模块,以实现高效、可靠的LED照明系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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