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VBMB17R10 产品详细

产品简介:

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VBsemi公司推出的VBMB17R10是一款Single N型MOSFET,具备高性能和可靠性。该产品采用Plannar技术,具有700V的漏极-源极电压(VDS),10A的漏极电流(ID),并在VGS=10V时具有约1400mΩ的导通电阻。封装为TO220F,适用于多种应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBMB17R10
- 品牌:VBsemi
- MOSFET类型:Single N
- VDS(漏极-源极电压):700V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:约1400mΩ
- ID(漏极电流):10A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 电源管理模块:VBMB17R10适用于电源管理模块中的开关电路和功率控制,如DC-DC转换器和AC-DC变换器。
2. 电动汽车充电器:作为电动汽车充电器中的关键元件,VBMB17R10可以承受高压和高电流,保证充电器的安全和高效工作。
3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBMB17R10可作为开关管用于直流-交流转换,实现太阳能的有效利用。
4. 工业自动化控制系统:VBMB17R10可以用于工业自动化控制系统中的开关电路和电源管理,确保设备的稳定运行和高效工作。

以上领域和模块需要具备高性能和可靠性的功率器件来确保系统的正常运行,而VBMB17R10正是满足这些需求的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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