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VBMB17R08SE 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBMB17R08SE是一款单N沟道功率MOSFET,具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS,正负值),以及3.5V的阈值电压(Vth)。它采用了SJ_Deep-Trench技术,封装为TO220F。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 门-源电压(VGS,正负值):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:540mΩ
- 最大漏极电流(ID):8A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源模块:由于VBMB17R08SE具有较高的漏极-源极电压和较低的导通电阻,可用于设计工业级电源模块,提供稳定可靠的电源输出。
2. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,需要耐受高电压和电流的功率MOSFET,VBMB17R08SE可用于设计这些充电桩的功率开关电路。
3. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要处理高电压和电流,并将太阳能板收集的直流电转换为交流电。VBMB17R08SE适合用于太阳能逆变器的功率开关部分。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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