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VBMB17R07 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBMB17R07是一款单N沟道功率MOSFET,具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS,正负值),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用Plannar技术,封装为TO220F。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 门-源电压(VGS,正负值):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=4.5V时的导通电阻:1000mΩ
- VGS=10V时的导通电阻:800mΩ
- 最大漏极电流(ID):7A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源逆变器:由于VBMB17R07具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流,可用于设计电源逆变器,将直流电转换为交流电,适用于太阳能发电系统、风能发电系统等。
2. 电动车充电器:在电动车充电器中,需要耐受高电压和电流的功率MOSFET,VBMB17R07可用于设计充电器的功率开关电路,提供高效稳定的充电性能。
3. 工业自动化设备:VBMB17R07适用于工业自动化设备中的功率开关模块,如电机控制、工业炉控制等,提供可靠的功率调节和控制功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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