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VBMB17R06 产品详细

产品简介:

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VBMB17R06是VBsemi公司生产的单N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用Plannar技术。该器件具有700V的漏源电压(VDS),30V的门源电压(VGS),门源电压阈值为3.5V。其在10V门源电压下的导通电阻(RDS(on))为1900mΩ,最大导通电流(ID)为6A。该产品封装形式为TO220F。适用于多个领域和模块,在工业电源、电动车、风能发电和工业自动化控制等领域都具有广泛的应用前景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB17R06
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管(MOSFET)
- 技术:Plannar
- 漏源电压(VDS):700V
- 门源电压(VGS):30V
- 门源电压阈值(Vth):3.5V
- 门源电压为10V时的导通电阻(RDS(on)):1900mΩ
- 最大导通电流(ID):6A
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:VBMB17R06适用于工业电源模块中的开关电源和逆变器模块,用于工厂自动化设备、通信基站等领域的稳定供电。
2. 电动车电池管理:在电动车的电池管理系统中,该MOSFET可用于电池组的充放电管理模块,实现对电池状态的精确控制和保护。
3. 风能发电系统:适用于风能发电系统中的功率开关模块,用于控制风力发电机的电源输出和风能的转换。
4. 工业自动化控制:在工业自动化和控制系统中,VBMB17R06可以用作开关器件,实现对各种设备和机械的精确控制和调节。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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