VBMB17R05S - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi的VBMB17R05S是一款单N沟道MOSFET，具有可靠性高、性能优异的特点。采用SJ_Multi-EPI技术制造，封装为TO220F，适用于多种应用场合。

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产品参数：

详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 型号：VBMB17R05S
- 类型：单N沟道MOSFET
- 最大漏极-源极电压（VDS）：700V
- 最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻（mΩ）：1100mΩ
- 最大漏极电流（ID）：5A
- 技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO220F

领域和模块应用：

应用示例：
该产品适用于多个领域和模块，例如：
- 电源供应模块：可用于开关电源、UPS系统和逆变器等电源供应设备中的功率开关控制。
- 太阳能逆变器：由于其高压、高电流特性，适用于太阳能逆变器中的直流到交流的转换控制。
- 工业电子控制系统：可用于工业自动化设备、变频器和电动汽车充电桩等领域的电源管理和电流控制。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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