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VBMB17R04SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi 的 VBMB17R04SE 是一款 Single N 型 MOSFET,具有以下特点:
- 品牌:VBsemi
- 封装:TO220F
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 最大漏极-源极电压(VDS):700V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在 VGS=10V 时的导通电阻:1200 mΩ
- 最大漏极电流(ID):4A

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBMB17R04SE
- 产品类型:Single N 型 MOSFET
- 品牌:VBsemi
- 封装类型:TO220F
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 最大漏极-源极电压(VDS):700V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在 VGS=10V 时的导通电阻:1200 mΩ
- 最大漏极电流(ID):4A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 低功率开关电路:由于 VBMB17R04SE 具有较低的导通电阻和较小的漏极电流能力,适用于低功率开关电路,如电源管理和电路保护。
2. LED 驱动器:在 LED 照明应用中,需要低功率和高效率的开关器件来控制 LED 的亮度,VBMB17R04SE 可以用作 LED 驱动器中的功率开关元件。
3. 消费电子产品:VBMB17R04SE 的封装和参数使其适用于消费电子产品中的功率开关模块,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理和功率转换。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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