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VBMB17R04 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBMB17R04是一款单N沟道场效应晶体管,采用Plannar技术制造。它具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。该产品封装为TO220F,具有4A的漏极电流(ID)和2600mΩ的导通电阻(VGS=10V)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB17R04
- 品牌:VBsemi
- 结构:单N沟道场效应晶体管
- VDS(漏极-源极电压):700V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):详细参数说明:
- 产品型号:VBMB17R04
- 品牌:VBsemi
- 结构:单N沟道场效应晶体管
- VDS(漏极-源极电压):700V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- 导通电阻(VGS=10V):2600mΩ
- 漏极电流(ID):4A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源管理模块:VBMB17R04的高压耐受性和适度的漏极电流使其适用于电源管理模块,用于调节和控制电力系统中的电压和电流,确保电子设备的稳定运行。
2. LED驱动器:由于其稳定的性能和高压承受能力,该产品可用于LED驱动器模块,用于为LED照明系统提供稳定的电力输出。
3. 电动工具:VBMB17R04可用于电动工具中的电源控制模块,用于控制电动机的启动和停止,并确保电动工具的安全和高效运行。
4. 电源逆变器:该产品适用于电源逆变器模块,将直流电转换为交流电,用于太阳能发电系统、电动汽车充电器等领域,以实现能源转换和储存。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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