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VBMB17R02 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBMB17R02型号是一款单N沟道功率MOSFET,具有高性能和可靠性。采用Plannar技术,该产品具有优秀的导通特性和稳定性能。适用于各种功率应用,提供可靠的功率控制和保护功能。

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产品参数:

详细参数说明:

- 品牌:VBsemi
- 产品型号:VBMB17R02
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):700V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):6500mΩ
- 最大漏极电流(ID):2A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:

1. 电源模块:VBMB17R02可用于各种电源模块中的开关电源和逆变器,确保高效能和稳定性能。
2. 电动汽车控制系统:该产品适用于电动汽车的电机驱动系统和电池管理模块,提供可靠的功率控制和保护功能。
3. 工业自动化设备:用于工业自动化设备中的电源模块和驱动器,确保设备的稳定运行和高效能转换。
4. 太阳能逆变器:VBMB17R02可用于太阳能逆变器中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,实现太阳能发电系统的高效能转换。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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