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3LN01S-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

**3LN01S-VB**是一款由VBsemi生产的单N沟道功率MOSFET,采用SOT23-3封装。它适用于低功率开关和信号放大电路中,具有低漏源电压(VDS)和低栅源电压(VGS)特性。该MOSFET具有60V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),并采用先进的沟槽技术制造。

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产品参数:

二、详细参数说明

- **型号**:3LN01S-VB
- **封装**:SOT23-3
- **类型**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:3100mΩ @ VGS=4.5V;2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:0.3A
- **技术**:沟槽技术(Trench)

领域和模块应用:

三、适用领域和模块

**3LN01S-VB**适用于以下领域和模块:

1. **低功率电子设备**:
- **便携式电子产品**:由于其小封装和低功率特性,3LN01S-VB可用于便携式电子产品中的电源管理和信号放大模块。
- **低功率开关电路**:在需要低功率开关的电路中,3LN01S-VB可以提供可靠的开关功能。

2. **信号放大电路**:
- **传感器模块**:在传感器模块中,3LN01S-VB可用于放大传感器信号,提高信号质量和稳定性。

3. **汽车电子**:
- **车载电子系统**:在汽车电子系统中,3LN01S-VB可用于低功率电路和信号处理模块,提供可靠的电源管理和信号放大功能。

通过以上应用实例,可以看出3LN01S-VB在低功率电子设备和信号放大电路领域中具有广泛的应用潜力,能够满足各种不同环境下的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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