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3LN01C-D-VB 产品详细

产品简介:

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3LN01C-D-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装。具有 60V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS),阈值电压为 1.7V。其导通电阻(RDS(ON))在栅源电压为 4.5V 时为 3100mΩ,在栅源电压为 10V 时为 2800mΩ。漏极电流(ID)为 0.3A,采用 Trench 技术制造,具有高性能和可靠性。

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产品参数:

详细参数说明

| 参数 | 数值 | 单位 |
|------------|--------------------------|------------|
| 封装类型 | SOT23-3 | - |
| 配置 | 单 N 沟道 | - |
| 漏源电压(VDS)| 60 | V |
| 栅源电压(VGS)| ±20 | V |
| 阈值电压(Vth) | 1.7 | V |
| 导通电阻(RDS(ON))@VGS=4.5V | 3100 | mΩ |
| 导通电阻(RDS(ON))@VGS=10V | 2800 | mΩ |
| 漏极电流(ID) | 0.3 | A |
| 技术 | Trench | - |

领域和模块应用:

应用领域及模块举例

1. **移动设备**:
由于 3LN01C-D-VB 具有较低的漏源电压和适度的电流处理能力,因此适用于移动设备中的电源管理模块,如充电管理和电池保护电路等。

2. **便携式消费电子产品**:
在便携式消费电子产品中,3LN01C-D-VB 可以用于控制电池充放电和供电管理,例如智能手机、平板电脑和便携式音频设备等。

3. **医疗设备**:
在医疗设备中,3LN01C-D-VB 可以用于电源管理和电流控制,如便携式医疗设备、监护设备和诊断设备等。

4. **工业控制模块**:
在工业控制模块中,3LN01C-D-VB 可以用于电源开关和控制电路,如工业自动化设备、机器人和传感器等。

通过以上应用示例,可以看出 3LN01C-D-VB 具有广泛的应用领域,适用于需要低功率和可靠性的电子设备和模块中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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