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VBMB175R07 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB175R07是一款单N沟道场效应晶体管,具有750V的漏极-源极电压(VDS)和30V的门源电压(VGS)。它采用平面工艺技术,具有3.5V的阈值电压(Vth),适用于TO220F封装。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB175R07
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管
- VDS(漏极-源极电压):750V
- VGS(门源电压):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:1700mΩ
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:平面工艺
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

应用举例:
该产品适用于多个领域和模块,包括但不限于:
1. 工业电源模块:由于其较高的漏极-源极电压和可靠的性能特性,VBMB175R07可以用于工业电源模块中的开关电源、逆变器和稳压器等部件。
2. 汽车电子:在汽车电子系统中,如发动机控制单元(ECU)和电动汽车的功率模块中,该器件可以用作电压变换器和电动机驱动器。
3. 太阳能逆变器:该器件的高电压和耐高温特性使其适用于太阳能逆变器中,用于将太阳能板产生的直流电转换为交流电。
4. 消费电子:在家电、办公设备和通信设备等消费电子产品中,VBMB175R07可用于开关电源和电池充电器等模块中,以提供稳定的电源和充电功能。

以上是该产品适用于不同领域和模块的一些示例说明。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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