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VBMB175R04 产品详细

产品简介:

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VBMB175R04是VBsemi公司生产的单N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用Plannar技术。该器件具有750V的漏源电压(VDS),30V的门源电压(VGS),门源电压阈值为3.2V。在10V门源电压下的导通电阻(RDS(on))为2700mΩ,最大导通电流(ID)为4A。该产品封装形式为TO220F。

VBMB175R04适用于工业电源、电动车充电桩、太阳能逆变器和工业自动化控制等领域,具有广泛的应用前景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB175R04
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管(MOSFET)
- 技术:Plannar
- 漏源电压(VDS):750V
- 门源电压(VGS):30V
- 门源电压阈值(Vth):3.2V
- 门源电压为10V时的导通电阻(RDS(on)):2700mΩ
- 最大导通电流(ID):4A
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源开关模块:VBMB175R04适用于工业电源模块和通信设备中的开关电源和逆变器模块,提供稳定的电源输出。
2. 电动车充电桩:在电动车充电桩中,该MOSFET可用于电源控制模块,确保电动汽车的安全充电和管理。
3. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,用于太阳能发电系统中。
4. 工业自动化控制:在工业自动化和控制系统中,VBMB175R04可以用作开关器件,实现对各种设备和机械的精确控制和调节。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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