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VBMB16R31SFD 产品详细

产品简介:

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VBsemi品牌的VBMB16R31SFD是一款单N沟道MOSFET器件,具有高性能和可靠性。采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO220F。该器件具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth),在VGS=10V时的导通电阻为90mΩ,最大漏极电流(ID)为31A。

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产品参数:


详细参数说明:

- 产品型号:VBMB16R31SFD
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻:90mΩ
- 最大漏极电流(ID):31A
- 制造工艺:SJ_Multi-EPI
- 封装形式:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 汽车电子:VBMB16R31SFD可用于汽车电子系统中的电动车辆控制模块,如电动汽车驱动电机控制和电池管理系统。
2. 电源管理:在电源管理领域,该器件可用于开关电源、UPS(不间断电源)、电池充放电管理等模块,提供稳定、高效的电力控制。
3. 太阳能发电系统:作为太阳能发电系统中的逆变器开关,VBMB16R31SFD能够实现光伏电能的有效转换和输出,用于太阳能电池板的电能管理。
4. 工业自动化:在工业控制系统中,该器件可用于电机驱动、开关控制和电力调节等模块,提供高效、可靠的电力控制和保护。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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