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VBMB16R26S 产品详细

产品简介:

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VBsemi推出的VBMB16R26S是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有600V的漏源极电压(VDS)、30V的栅源电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。该型号的MOSFET采用TO220F封装,适用于各种应用领域的功率电子系统。

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产品参数:


详细参数说明:

1. 漏源极电压(VDS):600V
2. 栅源电压(VGS):±30V
3. 阈值电压(Vth):3.5V
4. 在VGS=10V时的漏源极电阻(mΩ):115
5. 最大漏极电流(ID):26A
6. 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

适用领域和模块:

1. 电源模块:VBMB16R26S适用于各种电源模块,例如开关电源、AC-DC转换器、DC-DC转换器等,在这些模块中可实现高效的功率转换和稳定的电源输出。

2. 工业控制系统:在工业控制领域,该型号的MOSFET可以应用于各种控制系统中,如电机驱动器、温度控制器、PLC等,提供可靠的功率控制和调节功能。

3. 汽车电子系统:VBMB16R26S适用于汽车电子系统中的功率控制模块,例如电动汽车的驱动器、发动机控制单元(ECU)等,实现高效的能量转换和电力管理。

4. LED照明系统:在LED照明领域,该型号的MOSFET可用于LED驱动电路,提供稳定的电源和高效的能量转换,满足不同场景下的照明需求。

5. 太阳能逆变器:VBMB16R26S适用于太阳能逆变器中,能够提供高效的能量转换和稳定的输出,帮助太阳能发电系统实现更高的能量利用率。

综上所述,VBMB16R26S型号的MOSFET适用于电源模块、工业控制系统、汽车电子、LED照明以及太阳能逆变器等多个领域和模块,具有广泛的应用前景和市场需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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