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2V7002LT1G-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

2V7002LT1G-VB 是一款由 VBsemi 生产的单通道 N 型 MOSFET,采用 SOT23-3 封装。该器件具有低漏源电压和适中的导通电阻,适用于低功率功率开关和电压调节应用。

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产品参数:

详细参数说明

- **型号**: 2V7002LT1G-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 型通道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟槽技术

领域和模块应用:

应用领域及模块示例

1. **便携式设备**:2V7002LT1G-VB 可用于便携式电子设备中的电源管理模块,如智能手机、平板电脑和便携式音乐播放器。这些设备需要高效的电源开关来延长电池寿命,同时需要小型封装以节省空间。

2. **电池管理系统**:该 MOSFET 可以用于电池管理系统(BMS),用于控制电池的充放电过程。其高漏源电压和低导通电阻特性确保了电池在充电和放电过程中的安全和高效运行。

3. **DC-DC 转换器**:在 DC-DC 转换器中,2V7002LT1G-VB 的快速开关速度和低导通电阻使其能够在高频率下高效运行,减少转换损耗,提高整体效率。

4. **通信设备**:该 MOSFET 还可以用于通信设备中的开关电源模块,如路由器和基站。这些设备需要稳定的电源管理,以确保可靠的通信性能。

5. **消费电子**:在消费电子产品中,例如 LED 驱动器、游戏机和家用电器,2V7002LT1G-VB 能够提供高效的电源开关解决方案,提升设备性能和能效。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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