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2SK536-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

2SK536-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单N沟道MOSFET。它设计用于需要高效开关特性的应用。该产品具有 60V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS),使其适用于多种中低功率的开关和放大电路。通过先进的沟槽(Trench)技术,这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(ON)),在4.5V和10V的栅极驱动电压下分别为 3100mΩ 和 2800mΩ,使其在低电压下依然能保持良好的导通性能。

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产品参数:

二、详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V; 2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟槽(Trench)

领域和模块应用:

三、应用领域和模块示例

1. **开关电源**:
2SK536-VB 在开关电源中应用广泛,特别是用于低功率的DC-DC转换器。由于其低导通电阻和快速开关特性,可以显著提升转换效率,减少能量损耗。

2. **电池管理系统**:
在便携设备如手机、平板电脑和其他电池供电设备中,2SK536-VB 可用于电池保护电路。其高效的开关特性和低功耗有助于延长电池寿命并提高设备的整体性能。

3. **负载开关**:
这款MOSFET 适用于负载开关应用,如电机驱动、电源路径管理等。其低RDS(ON) 确保了负载电流的高效传输,同时减少了发热量。

4. **信号放大**:
在信号放大电路中,2SK536-VB 可以作为开关元件,用于实现快速和精确的信号处理。其稳定的Vth 和宽范围的VGS 使其在各种信号条件下表现出色。

总体而言,2SK536-VB 是一款多功能的N沟道MOSFET,适用于需要高效和可靠开关特性的各种电子应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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