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VBMB16R15S 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBMB16R15S型号是一款单N沟道场效应管(MOSFET),具有优异的性能和可靠性。采用SJ_Multi-EPI工艺制造,封装为TO220F,适用于各种电力电子应用。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBMB16R15S
- 品牌:VBsemi
- 结构类型:单N沟道场效应管(MOSFET)
- 额定电压(VDS):600V
- 最大门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 10V下漏极-源极电阻(mΩ):280
- 额定漏极电流(ID):15A
- 工艺技术:SJ_Multi-EPI
- 封装类型:TO220F

领域和模块应用:

应用领域举例:

1. 电源模块:VBMB16R15S可用于开关电源、稳压电源等电源模块中,提供高效、稳定的功率转换和电压调节功能。

2. 电机驱动:在工业自动化和家用电器领域,VBMB16R15S可用于电机驱动器中,控制电机的启停、转速和转向,实现精准的动力控制。

3. LED照明:作为LED驱动电路中的开关元件,VBMB16R15S能够提供高效的电力转换和调节功能,确保LED灯具的稳定亮度和长寿命。

4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,VBMB16R15S可用于逆变器模块中,将直流电能转换为交流电能,实现太阳能电池板与电网的连接。

5. 电动汽车充电桩:作为电动汽车充电桩中的功率开关元件,VBMB16R15S能够提供高效的电力转换和控制,确保充电桩的稳定输出和安全充电。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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