MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBMB16R12S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB16R12S型号是一款单N沟道MOSFET,具有600V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。该型号采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO220F,适用于多种应用场景。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门-源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):330
- 漏极电流(ID):12A
- 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用示例:
该产品适用于多个领域和模块,例如:
1. 电源模块:由于其高漏极-源极电压和可靠性,可用于开关电源和UPS系统的设计。
2. 电动车充电器:具有足够的漏极-源极电流和高电压容忍度,适用于电动车充电器的设计。
3. 工业电机控制器:可用作工业电机驱动器中的开关器件,实现高效的电机控制和调节。
4. 太阳能逆变器:由于其高电压容忍度和大漏极电流,可用于太阳能逆变器的设计,实现太阳能电能的转换和利用。

以上仅为一些示例,实际应用取决于具体的设计和需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询