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2SK4147-T2B-AT-VB 产品详细

产品简介:

2SK4147-T2B-AT-VB 产品简介

2SK4147-T2B-AT-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装。具有高漏极-源极电压和适中的导通电阻。适用于低功率应用,如信号开关和电源管理等领域。

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产品参数:

2SK4147-T2B-AT-VB 详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:200V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:1400mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:0.6A
- **技术**:沟槽(Trench)

领域和模块应用:

适用领域和模块举例

1. **信号开关**:2SK4147-T2B-AT-VB 可用于低功率信号开关,如音频信号开关和信号选择器等领域,其低导通电阻和适中的漏极-源极电压使其成为理想的选择。

2. **电源管理**:在低功率电源管理中,2SK4147-T2B-AT-VB 可用于电源切换和电池管理系统中的保护开关,提供可靠的电流控制和低功率消耗。

3. **传感器接口**:在传感器接口电路中,2SK4147-T2B-AT-VB 可用于传感器信号的放大和处理,其低功率特性有助于减少系统能耗。

综上所述,2SK4147-T2B-AT-VB 是一款适用于低功率应用的MOSFET,具有高漏极-源极电压和适中的导通电阻,广泛应用于信号开关、电源管理和传感器接口等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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