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VBMB16R11SE 产品详细

产品简介:

产品简介:VBMB16R11SE是VBsemi品牌的单N型场效应晶体管,采用SJ_Deep-Trench技术封装为TO220F。具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)、310mΩ(VGS=10V)的导通电阻和11A的漏极电流(ID)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 门源电压为10V时的导通电阻:310mΩ
- 漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 照明控制:可用于LED照明驱动器、灯光调节器等模块,提供稳定的功率控制和灯光调节功能。
2. 电源管理模块:适用于低功率电源管理系统,如电池管理系统、小型UPS系统等,提供稳定的电源管理和保护功能。
3. 电动工具:在各种电动工具中的电机驱动模块,实现对电动工具的高效驱动和控制。
4. 工业控制系统:适用于工业控制系统中的功率开关模块,提供对电机和设备的精确控制,提高生产效率和能源利用率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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