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VBMB16R11 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB16R11是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用平面工艺制造。它具有600V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),3.5V的门限电压(Vth),以及11A的漏极电流(ID)。该产品采用TO220F封装,适用于多种应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 栅极-源极电压(VGS):30V(正负)
- 门限电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):800
- 漏极电流(ID):11A
- 技术:平面工艺
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源供应模块:VBMB16R11的高漏极-源极电压和较大的漏极电流使其非常适合用于电源开关电路,如开关电源和逆变器。
2. 电机驱动器:由于其高电压和电流能力,该MOSFET可用于电机驱动器中的功率放大器,以实现高效能和可靠性。
3. LED照明控制:VBMB16R11可用于LED照明系统中的电流调节器和开关控制器,以提供稳定的照明输出。
4. 工业自动化:在工业控制系统中,该MOSFET可用于开关电源、逆变器和电机控制器等模块,以实现高效的电能转换和精确的控制。

这些领域和模块仅是VBMB16R11可能适用的一些示例,实际应用取决于具体的电路设计和要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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