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VBMB16R10S 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBMB16R10S是一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有优异的性能和可靠性。适用于需要高性能单N沟道FET的应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 电压参数:VDS(漏极-源极电压)为600V,VGS(栅极-源极电压)为±30V,阈值电压(Vth)为3.5V。
- 电流参数:在VGS=10V时,漏极-源极电阻(RDSon)为450mΩ,最大漏极电流(ID)为10A。

领域和模块应用:

适用领域和模块:
1. 工业电子:用于工业电机驱动、电源转换器和逆变器等高压应用中。
2. 汽车电子:可用于汽车电动化系统中的电机驱动和电池管理系统。
3. 太阳能和可再生能源:适用于太阳能逆变器、风力发电系统等能源转换应用。
4. 医疗设备:可用于医疗设备中的高压电源和驱动电路。
5. 通信设备:适用于高压直流-直流转换器和功率放大器等通信设备模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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