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VBMB16R10 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBMB16R10型号是一款单N沟道场效应管(MOSFET),具有优异的性能和可靠性。采用平面工艺制造,封装为TO220F,适用于各种电力电子应用。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBMB16R10
- 品牌:VBsemi
- 结构类型:单N沟道场效应管(MOSFET)
- 额定电压(VDS):600V
- 最大门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 10V下漏极-源极电阻(mΩ):1000
- 额定漏极电流(ID):10A
- 工艺技术:平面工艺
- 封装类型:TO220F

领域和模块应用:

应用领域举例:

1. 工业电子领域:VBMB16R10可用于工业电源、电机驱动、变频器等设备中,提供可靠的功率控制和保护功能。

2. 汽车电子领域:在汽车电动化趋势下,VBMB16R10可用于电动汽车的电动机驱动系统和充电桩等应用中,具有高效能和可靠性。

3. 太阳能领域:作为太阳能逆变器中的开关元件,VBMB16R10能够提供稳定的电力转换效率,适用于太阳能发电系统中的直流-交流转换模块。

4. 通信领域:用于通信基站的电源模块、逆变器和直流稳压器等电子设备中,VBMB16R10能够提供高效、稳定的电力转换和控制功能,满足通信设备对功率密度和可靠性的要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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