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VBMB16R08SE 产品详细

产品简介:

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VBsemi 的 VBMB16R08SE 是一款单 N 型 MOSFET,具有 600V 的漏极-源极电压(VDS),30V 的门源极电压(VGS,正负),和 3.5V 的阈值电压(Vth)。它采用 SJ_Deep-Trench 技术,并且封装为 TO220F。

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产品参数:

详细参数说明:

- 漏极-源极电压(VDS): 600V
- 门源极电压(VGS,正负): ±30V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- VGS=10V 时的导通电阻(mΩ): 460
- 最大漏极电流(ID): 8A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

- 电源管理模块:适用于低功率电源管理模块,如手机充电器、笔记本电脑适配器等,提供高效的电源转换和稳定的输出电压。
- 汽车电子系统:可用于汽车电子系统中的电源管理和驱动控制,例如汽车灯光控制、电动车充电器等。
- 工业控制系统:适用于工业控制系统中的电源开关和电机控制,例如工业自动化设备、机器人控制系统等。
- LED照明系统:在LED照明系统中,可用作LED驱动器的开关管,实现高效的LED光源控制和调节,提高照明系统的能效和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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