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VBMB16R08 产品详细

产品简介:

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VBMB16R08是VBsemi品牌推出的单N沟道MOSFET,具有600V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。它采用平面结构技术,封装为TO220F。

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产品参数:


详细参数说明:

- 产品型号:VBMB16R08
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- VDS(漏极-源极电压):600V
- VGS(门极-源极电压):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:880mΩ
- 最大漏极电流(ID):8A
- 技术:平面结构
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:

1. 电源模块:VBMB16R08可用于开关电源中的功率开关模块,用于转换输入电压至所需的输出电压,如DC-DC变换器和AC-DC变换器。
2. 电机驱动:由于其高电压和低导通电阻特性,该MOSFET适用于电机驱动模块,用于控制电机的启停和速度调节。
3. 照明控制:在LED照明系统中,VBMB16R08可用于调光控制模块,实现灯光的亮度调节和节能功能。
4. 电动汽车充电桩:用于电动汽车充电桩中的充电模块,控制充电电流和电压,以确保安全和高效的充电过程。

以上是一些VBMB16R08产品在不同领域和模块中的应用示例。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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