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VBMB16R07 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBMB16R07是VBsemi品牌推出的单N沟道场效应晶体管,封装为TO220F。它具有高达600V的漏源电压(VDS),30V的栅源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。此外,其栅源电压为10V时的导通电阻为1200mΩ,最大漏极电流(ID)为7A。该产品采用平面工艺制造。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏源电压(VDS):600V
- 栅源电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅源电压为10V时的导通电阻:1200mΩ
- 最大漏极电流(ID):7A
- 制造工艺:平面工艺
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源管理模块:由于其高漏源电压和低导通电阻,可用于设计高性能的电源管理模块,如开关电源和直流-直流(DC-DC)转换器。
2. 汽车电子模块:在汽车电子领域,该产品可用于车辆电气系统中的电动汽车充电桩、直流电动机驱动器等模块,以实现高效能和高可靠性。
3. 工业控制系统:由于其高电压和大电流特性,可应用于工业自动化领域的电机控制、工业照明和电力传输等模块。
4. 太阳能逆变器:作为太阳能逆变器的关键组件之一,该产品能够提供稳定的电压输出和高效的能量转换,从而提高太阳能发电系统的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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