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VBMB16R04 产品详细

产品简介:

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VBsemi 的 VBMB16R04 是一款单 N 型 MOSFET,具有 600V 的漏极-源极电压(VDS),30V 的门源极电压(VGS,正负),和 3.5V 的阈值电压(Vth)。它采用 Plannar 技术,并且封装为 TO220F。

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产品参数:

详细参数说明:

- 漏极-源极电压(VDS): 600V
- 门源极电压(VGS,正负): ±30V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- VGS=4.5V 时的导通电阻(mΩ): 1160
- VGS=10V 时的导通电阻(mΩ): 928
- 最大漏极电流(ID): 4.5A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

- 低功率电源模块:适用于低功率电源模块中的电源开关和功率控制,例如小型家电、消费电子产品等。
- LED照明驱动器:在LED照明系统中,可用作LED驱动器的开关管,实现LED光源的控制和调节,提高照明系统的能效和稳定性。
- 电动工具:适用于电动工具中的功率开关,如电动钻、电动锤等,实现高效的电机驱动和控制。
- 汽车电子系统:可用于汽车电子系统中的电源管理和驱动控制,如车载电源管理、驱动控制等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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