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VBMB16R02 产品详细

产品简介:

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VBsemi品牌的VBMB16R02是一款单N沟道MOSFET器件,具有高性能和可靠性。采用Plannar技术制造,封装为TO220F。该器件具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth),在VGS=4.5V时的导通电阻为4000mΩ,在VGS=10V时的导通电阻为3200mΩ,最大漏极电流(ID)为2.4A。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBMB16R02
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=4.5V时的导通电阻:4000mΩ
- 在VGS=10V时的导通电阻:3200mΩ
- 最大漏极电流(ID):2.4A
- 制造工艺:Plannar
- 封装形式:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 低功率电源模块:由于VBMB16R02具有较低的漏电流和适中的功率特性,适用于各种低功率电源模块,如小型逆变器、充电器等。
2. 电动工具:在电动工具中,该器件可用于电机控制模块,如电动钻、电动剪等,提供高效的电力输出和控制。
3. LED照明控制:在LED照明系统中,VBMB16R02可用于LED灯具的电源开关控制,实现对LED光源的稳定驱动和亮度调节。
4. 低功耗电子产品:适用于各种低功耗电子产品,如便携式电子设备、智能家居产品等,提供稳定的电力控制和保护。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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