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VBMB165R42SFD 产品详细

产品简介:

产品简介:VBMB165R42SFD是由深圳市微碧半导体有限公司生产的VBsemi品牌的单N型场效应晶体管。该器件采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO220F。具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)、56mΩ(VGS=10V)的导通电阻和42A的漏极电流(ID)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 门源电压为10V时的导通电阻:56mΩ
- 漏极电流(ID):42A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源管理模块:由于其高漏极-源极电压和大电流能力,可用于开关电源、逆变器和直流-直流变换器等电源管理模块。
2. 电动汽车充电桩:具备较高的漏极-源极电压和导通电流,适用于电动汽车充电桩中的功率开关和逆变器模块。
3. 工业自动化:可用于工业驱动器、电机控制和功率逆变器等领域,以实现高效能和高功率密度的功率转换。
4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,可用于太阳能逆变器以将直流电转换为交流电,并将其注入到电网中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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