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VBMB165R38SFD 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBMB165R38SFD是由VBsemi生产的单N沟道MOSFET型号。它具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门极-源极电压(VGS)、3.5V的门极阈值电压(Vth),以及38A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术制造。该器件采用TO220F封装。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门极-源极电压(VGS):30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):67
- 漏极电流(ID):38A
- 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源供应模块:VBMB165R38SFD的高漏极-源极电压和大电流特性使其非常适用于电源供应模块,如电源逆变器和开关电源。
2. 汽车电子系统:由于其高电压和高电流能力,该器件常用于汽车电子系统中的电动汽车充电桩和电动汽车控制模块。
3. 工业控制系统:VBMB165R38SFD可用于工业控制系统中的功率开关器件,如变频器和电机驱动器。
4. 太阳能逆变器:其高电压和高电流特性使其成为太阳能逆变器中的理想选择,用于将太阳能电池板生成的直流电转换为交流电。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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