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VBMB165R34SFD 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBMB165R34SFD是VBsemi生产的单N沟道MOSFET型号。它具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门极-源极电压(VGS)、3.5V的门极阈值电压(Vth),以及34A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO220F。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门极-源极电压(VGS):30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):80
- 漏极电流(ID):34A
- 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源模块:由于其高漏极-源极电压和适中的漏极电流特性,VBMB165R34SFD可用于工业电源模块,如变频器和UPS电源。
2. 风能转换系统:该器件适用于风能转换系统中的功率开关器件,用于控制风力涡轮机的输出电流。
3. 电动汽车充电桩:VBMB165R34SFD的高电压和电流特性使其成为电动汽车充电桩中的理想选择,用于实现电动汽车的快速充电。
4. 太阳能逆变器:该器件可用于太阳能逆变器中,将太阳能电池板生成的直流电转换为交流电。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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