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VBMB165R32S 产品详细

产品简介:

产品简介:VBMB165R32S是VBsemi品牌的单N型场效应晶体管,采用SJ_Multi-EPI技术封装为TO220F。具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)、85mΩ(VGS=10V)的导通电阻和32A的漏极电流(ID)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 门源电压为10V时的导通电阻:85mΩ
- 漏极电流(ID):32A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源管理模块:可用于开关电源、逆变器和直流-直流变换器等电源管理模块,实现高效的功率转换和电源控制。
2. 汽车电子系统:适用于电动汽车的驱动系统、充电桩和电池管理系统,提供稳定的电源和高效的功率控制。
3. 工业自动化设备:在工业驱动器、电机控制和功率逆变器等领域,能够实现高功率密度的功率转换和精确的电机控制。
4. 太阳能和风能转换器:用于太阳能逆变器、风力发电逆变器等领域,将可再生能源转换为可用的电能并注入电网。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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