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VBMB165R25SE 产品详细

产品简介:

VBMB165R25SE是一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),具有以下特点:
- 额定电压高达650V,适用于高压应用场景。
- 门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。
- 阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻为115mΩ,提供可靠的导通特性。
- 漏极电流为25A,适用于高功率需求。
- 采用SJ_Deep-Trench技术,具有优异的性能和可靠性。
- 封装为TO220F,适合高功率应用的安装和散热。

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产品参数:

参数:
- 类型:单极性 N 型
- 额定电压(VDS):650V
- 门源电压范围(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):115
- 漏极电流(ID):25A
- 技术:SJ_Deep-Trench
封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:可用于设计高功率工业电源模块,如电焊设备、工业电炉等。
2. 电动车电机控制器:适用于电动车中的电机控制器模块,提供强大的电力输出和精确的控制。
3. 太阳能逆变器:用于太阳能发电系统中的功率转换模块,提高能源利用效率。
4. 高性能服务器电源:可用于高性能服务器中的电源管理模块,确保服务器稳定运行并提供足够的电力支持。
5. 工业自动化设备:适用于工业机器人、数控机床等设备中的功率开关模块,提供可靠的电力控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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