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VBMB165R22 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBMB165R22是一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于多种应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 电压参数:VDS(漏极-源极电压)为650V,VGS(门-源电压)为±30V。
- 阈值电压:Vth(阈值电压)为3.5V。
- 电流参数:在VGS=10V时,导通时的最小电阻为280mΩ,最大漏极电流为22A。

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电机驱动:VBMB165R22具有较高的电流和电压承受能力,适用于工业电机驱动器中的功率开关模块,提供可靠的电力控制。
2. 高性能电源:其低导通电阻和高漏极电流使其成为高性能电源系统中的理想选择,确保高效的能源转换和稳定的输出。
3. 汽车电子:在汽车电子系统中,VBMB165R22可用于电动车辆的动力电池管理和电动驱动模块,提供可靠的电力传输和控制。

以上是VBsemi的VBMB165R22产品的简介、详细参数说明以及适用领域和模块的示例说明。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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