MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBMB165R20SFD 产品详细

产品简介:

产品简介:

VBsemi推出的VBMB165R20SFD是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有650V的漏源极电压(VDS)、30V的栅源电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。该型号的MOSFET采用TO220F封装,适用于电源模块、工业电力系统、汽车电子、太阳能逆变器以及LED照明系统等多个领域和模块,具有广泛的应用前景和市场需求。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:

1. 漏源极电压(VDS):650V
2. 栅源电压(VGS):±30V
3. 阈值电压(Vth):3.5V
4. 在VGS=10V时的漏源极电阻(mΩ):175
5. 最大漏极电流(ID):20A
6. 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

适用领域和模块:

1. 电源模块:VBMB165R20SFD适用于各种电源模块,如开关电源、AC-DC转换器、DC-DC转换器等,能够提供稳定可靠的功率转换和电源输出。

2. 工业电力系统:在工业电力系统中,该型号的MOSFET可以应用于变频器、电焊机、UPS等设备中,提供高效的功率控制和稳定的电力输出。

3. 汽车电子系统:VBMB165R20SFD适用于汽车电子系统中的功率控制模块,例如电动汽车的驱动器、充电桩等,实现高效的能量转换和电力管理。

4. 太阳能逆变器:该型号的MOSFET适用于太阳能逆变器中,能够实现高效的能量转换和稳定的输出,提高太阳能发电系统的能量利用率。

5. LED照明系统:VBMB165R20SFD可用于LED照明系统中的功率驱动模块,提供稳定可靠的电源和高效的能量转换,满足不同场景下的照明需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询