产品简介：
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VBsemi的VBMB165R20是一款单N沟道MOSFET，具有优秀的性能和可靠性。采用Plannar技术制造，封装为TO220F，适用于各种应用场合。
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产品参数：
详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 型号：VBMB165R20
- 类型：单N沟道MOSFET
- 最大漏极-源极电压（VDS）：650V
- 最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的漏详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 型号：VBMB165R20
- 类型：单N沟道MOSFET
- 最大漏极-源极电压（VDS）：650V
- 最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻（mΩ）：320mΩ
- 最大漏极电流（ID）：20A
- 技术：Plannar
- 封装：TO220F
领域和模块应用：
应用示例：
该产品适用于多个领域和模块，例如：
- 电源管理模块：由于其高电压和高电流特性，可用于开关电源、逆变器和稳压器等电源管理应用。
- 电动汽车控制系统：可用于电动汽车的驱动控制器，实现高效能量转换和电机控制。
- 工业自动化领域：适用于工业机器人、PLC控制器和电机驱动器等自动化设备中的电源开关和控制电路。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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