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VBMB165R18S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBMB165R18S是VBsemi公司生产的Single N型MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造。该器件具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS),3.5V的门极阈值电压(Vth)。其封装为TO220F。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- 10V门极电压下的漏极-源极电阻(mΩ):230mΩ
- 最大漏极电流(ID):18A
- 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用示例:
- 电源模块:VBMB165R18S适用于各种电源模块,如开关电源、逆变器和变频器,可用于工业、汽车和家庭电子设备。
- 太阳能逆变器:由于其高电压和大电流特性,该器件适用于太阳能逆变器中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
- 电动汽车充电桩:作为电动汽车充电桩中的电源开关和逆变器,能够高效地转换电能,为电动汽车充电。
- 工业电子:在工业自动化领域,VBMB165R18S可用于控制高功率设备和执行工业自动化任务,如电动机控制和传感器接口。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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