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VBMB165R18 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBMB165R18是一款单N沟道场效应管,具有650V的漏极-源极电压,30V的门极-源极电压,3.5V的阈值电压。该产品采用平面工艺,封装为TO220F。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):500
- 最大漏极电流(ID):18A
- 技术:平面工艺

领域和模块应用:

该产品适用于以下领域和模块:
- 电源管理系统:由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流,适用于电源开关和调节模块。
- 电动车辆:可用于电动汽车的电动机驱动和电池管理系统,提供高效率和高性能。
- 工业自动化:可用于工业电机驱动、变频器和UPS系统等领域,提供可靠的功率转换和控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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