VBsemi的VBMB165R18是一款单N沟道场效应管，具有650V的漏极-源极电压，30V的门极-源极电压，3.5V的阈值电压。该产品采用平面工艺，封装为TO220F。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220F | Single-N | 650V | 30（±V） | 3.5V | 18A | 420(mΩ) | Plannar |
详细参数说明：
- 漏极-源极电压（VDS）：650V
- 门极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：420
- 最大漏极电流（ID）：18A
- 技术：平面工艺
该产品适用于以下领域和模块：
- 电源管理系统：由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流，适用于电源开关和调节模块。
- 电动车辆：可用于电动汽车的电动机驱动和电池管理系统，提供高效率和高性能。
- 工业自动化：可用于工业电机驱动、变频器和UPS系统等领域，提供可靠的功率转换和控制。
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