VBMB165R18 - VBsemi MOS管制造商

VBMB165R18 产品详细

VBsemi的VBMB165R18是一款单N沟道场效应管，具有650V的漏极-源极电压，30V的门极-源极电压，3.5V的阈值电压。该产品采用平面工艺，封装为TO220F。

详细参数说明：
- 漏极-源极电压（VDS）：650V
- 门极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：500
- 最大漏极电流（ID）：18A
- 技术：平面工艺

该产品适用于以下领域和模块：
- 电源管理系统：由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流，适用于电源开关和调节模块。
- 电动车辆：可用于电动汽车的电动机驱动和电池管理系统，提供高效率和高性能。
- 工业自动化：可用于工业电机驱动、变频器和UPS系统等领域，提供可靠的功率转换和控制。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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