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VBMB165R15S 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBMB165R15S是一款单N沟道MOSFET,具有高电压和高电流的特性。采用SJ_Multi-EPI技术制造,适用于多种电子应用领域。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBMB165R15S
- MOSFET类型:单N沟道
- 额定漏极-源极电压(VDS):650V
- 标准门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):300
- 最大漏极电流(ID):15A
- 工艺技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电力电子模块:VBMB165R15S的高电压和高电流特性使其适用于电力电子模块,如变流器、逆变器和电源模块。
2. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,这款MOSFET可以用于电动车辆的驱动器、充电器和直流-直流转换器。
3. 太阳能逆变器:用于将太阳能板产生的直流电转换为交流电的太阳能逆变器中,VBMB165R15S可以作为开关管使用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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