MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBMB165R12 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBMB165R12是一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- 电压参数:VDS(漏极-源极电压)为650V,VGS(门-源电压)为±30V。
- 阈值电压:Vth(阈值电压)为3.5V。
- 电流参数:在VGS=10V时,导通时的最小电阻为680mΩ,最大漏极电流为12A。

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源:由于VBMB165R12具有较高的电压和电流特性,可用于工业电源中的开关电源模块,以提供可靠的电力转换。
2. 电动车充电器:其高电压和耐受性使其成为电动车充电器中的关键组件,确保高效而安全的电池充电。
3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBMB165R12可用作开关管,实现太阳能电池板产生的直流电到交流电的转换,促进可再生能源的利用。

以上是VBsemi的VBMB165R12产品的简介、详细参数说明以及适用领域和模块的示例说明。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询