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VBMB165R11S 产品详细

产品简介:

产品简介:

VBMB165R11S是VBsemi生产的单N沟道场效应管(MOSFET)产品,具有高性能和稳定性。采用SJ_Multi-EPI工艺制造,封装为TO220F,适用于各种电子设备和电路应用。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBMB165R11S
- 品牌:VBsemi
- 结构类型:单N沟道场效应管(MOSFET)
- 额定电压(VDS):650V
- 最大门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 10V下漏极-源极电阻(mΩ):420
- 额定漏极电流(ID):11A
- 工艺技术:SJ_Multi-EPI
- 封装类型:TO220F

领域和模块应用:

应用领域举例:

1. 电源模块:VBMB165R11S适用于各种电源模块,如工业电源、通信电源等,可用于稳定供电和电源管理。

2. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,VBMB165R11S可用于发动机控制单元(ECU)、电动车辆控制器(EVC)、充电桩等电路中,用于电力传输和功率控制。

3. 工业驱动器:作为工业驱动器中的功率开关元件,VBMB165R11S可用于电机控制、变频器、电动机驱动等领域,实现精确控制和高效能转换。

4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,VBMB165R11S可用于逆变器中,将直流电转换为交流电,供电给家庭、商业和工业用途。

5. 消费电子产品:如LED照明灯具、家用电器等,VBMB165R11S可用于功率开关电路、电源管理电路等,提高设备的性能和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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